表現(xiàn)形式貼片
設(shè)計(jì)工具IDE
設(shè)計(jì)類型精簡
用途電子
品牌普冉
PY32F002BD15
內(nèi)部高頻時(shí)鐘源 HSI 特性
表 5-14 內(nèi)部高頻時(shí)鐘源特性
符號
參數(shù)
條件
較小值
典型值
較大值
單位
fHSI
HSI 頻率
TA = 25°C,VCC = 3.3V
23.83(2)
24
24.17(2)
MHz
47.66(2)
48
48.34(2)
ΔTemp(HSI)
HSI 頻率溫度漂移
24MHz
VCC = 2.0V ~ 5.5V
TA = -40°C ~ 85°C
-2 (2)
2 (2)
%
VCC = 1.7V ~ 5.5V
TA = 0°C ~ 85°C
-2 (2)
2 (2)
VCC = 1.7V ~ 5.5V
TA = -40°C ~ 85°C
-4 (2)
2 (2)
fTRIM(1)
HSI 微調(diào)精度
0.1
%
DHSI(1)
占空比
45
55
%
tStab(HSI)
HSI 穩(wěn)定時(shí)間
2
4 (1)
μs
IDD(HSI) (2)
HSI 功耗
24MHz
193
μA
（1） 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)中測試。
（
2） 數(shù)據(jù)基于考核結(jié)果，不在生產(chǎn)中測試。
5.3.8. 內(nèi)部低頻時(shí)鐘源 LSI 特性
表 5-15 內(nèi)部低頻時(shí)鐘特性
符號
參數(shù)
條件
較小值
典型值
較大值
單位
fLSI
LSI 頻率
TA = 25°C,VCC = 3.3V
31.6
32.6
33.6
KHz
ΔTemp(LSI)
LSI 頻率溫度漂移
VCC = 1.7V ~ 5.5V
TA = 0°C ~ 85°C
-10(2)
10(2)
%
VCC = 1.7V ~ 5.5V
TA = -40°C ~ 85°C
-20(2)
20(2)PY32F002B Datasheet
36/50
符號
參數(shù)
條件
較小值
典型值
較大值
單位
fTRIM(1)
LSI 微調(diào)精度
0.2
%
tStab(LSI) (1)
LSI 穩(wěn)定時(shí)間
150
μs
IDD(LSI) (1)
LSI 功耗
210
nA
（1） 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)中測試。
（
2） 數(shù)據(jù)基于考核結(jié)果，不在生產(chǎn)中測試。
5.3.9. 存儲器特性
表 5-16 存儲器特性
符號
參數(shù)
條件
典型值
較大值(1)
單位
tprog
Page program
-
1.0
1.5
ms
tERASE
Page/sector/mass erase
-
3.5
5.0
ms
IDD
Page programe
2.1
2.9
mA
Page/sector/mass erase
2.1
2.9
（1） 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)中測試。
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